研发同比大增47.46%，东芯看好存储未来
2023.4.17
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在经历了2021-2022的寒冬后，存储市场弥漫着一股悲观的情绪，何时止跌，何时回暖，成为了大家在2023年最为关注的问题。 机构与厂商表示，存储价格预计在今年第二季度到达谷底，市场有望在第三季度触底反弹。如火如荼的物联网(IoT)、智能汽车和工业机器人，AI算力提升的需求，以及ChatGPT的拉动，有望让存储市场在2023年下半年一扫阴霾，迅速回暖增长。 市场转暖，需求再度旺盛，价格回抬，这正是国产厂商难得的一场的机遇，而厂商能否把握机会，借助这股东风，乘势而起，迎来发展的第二春呢？ 恰好聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的东芯半导体，其于近日发布了2022年财报，在这份财报中，或许我们可以一瞥国产存储厂商的信心所在。市场与产品布局 4月14日，东芯半导体股份有限公司（以下简称东芯，证券代码688110）了发布2022年度业绩报告。报告显示，在2022年财年，公司实现营业总收入为11.46亿元，比上年同期1.03% 。归属于上市公司股东的净利润为 1.85 亿元，归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润为1.65亿元。 虽然从利润上看，在行业现状的影响下，公司也不能置身事外。但正如东芯在财报中说，公 司积极应对挑战，不断精进研发技术实力，持续开发新产品，加强品质与服务管理，开拓新市场与新应用，总体发展稳中有进。 “公司高度重视并始终保持高水平研发投入，坚持技术创新，保证公司产品的技术先进性。2022 年公司坚持开发新产品和技术升级。”东芯在财报中强调。 作为国内少有的具备多种存储芯片技术储备的企业，东芯的存储产品布局可以用丰富来形容，从NAND到NOR再到DRAM，较为全面的横向布局让东芯在成熟产品的细分市场实现了填补和替代效应，与行业领先企业形成了差异化竞争。 首先看NAND Flash方面，如财报中所说，东芯股份的SLC NAND Flash 量产产品以中芯国际 38nm、24nm，力积电 28nm 的制程为主。在存储容量方面则覆盖了 512Mb 至 32Gb，可灵活选择 SPI 或 PPI 类型接口，广泛应用于如 5G 通讯模块和集成度要求较高的终端系统运行模块。 此外，东芯还在 28nm 及 24nm 的制程上持续开发新产品，不断扩充 SLC NAND Flash 产品线，报告期内部分新产品已达到量产标准。公司先进制程的 1xnm NAND Flash 产品已完成首轮晶圆流片，并已完成功能性验证。 据东芯在财报中介绍，公司自主设计的 SPI NOR Flash 存储容量覆盖 64Mb 至 1Gb，并支持多种数据传输模式， 普遍应用于可穿戴设备、移动终端等领域。从技术构成上看，公司的 NOR Flash 产品在力积电的 48nm 制程上持续进行更高容量的新产品开发，目前 512Mb、1Gb 大容量 NOR Flash 产品都已有样品可提供给客户。 与此同时，东芯还在中芯国际的 NOR Flash 产品制程从 65nm 推进至 55nm，目前该制程产线已完成首次晶圆流片。公司将持续在现有产品的基础上为客户提供更多样化的、高可靠性的产品选择。 来到DRAM方面，东芯方面表示，公司研发的 DDR3(L)系列是可以传输双倍数据流的 DRAM 产品，具有高带宽、低延时等特点，在通讯设备、移动终端等领域应用广泛;公司针对移动互联网和物联网的低功耗需求，自主研发的 LPDDR 系列产品具有低功耗、高传输速度等特点，适合在智能终端、可穿戴设备等产品中使用。 “公司设计研发的 LPDDR4X 及 PSRAM 产品均已完成工程样片并已通过客户验证，公司将继续在 DRAM 领域进行新产品的研发设计，助力公司产品多样性发展。”东芯在财报中强调。 作为一家IC设计企业，东芯自成立以来一直采取 Fabless 模式，专注于集成电路设计及最终销售环节，将晶圆制造、封装和测试等环节外包给专门的晶圆代工、封装及测试厂商。 进入2022年中，东芯持续优化着自身产业链结构，在加强与中芯国际及力积电两家国际一流大厂的合作范围与合作深度的同时，封装测试方面也已经与宏茂微、华润安盛、南茂科技、AT Semicon 等境内外知名封测厂建立稳定的合作关系，在可预见的未来，东芯所构筑的健全全球化供应链，能满足不同客户的更多需求，在市场中形成自身的优势。 同时，为了更好地推进市场销售，东芯产品销售还采用“经销、直销相结合”的销售模式。经销模式下，公司与经销商之间采用买断式销售；直销模式下，终端客户直接向公司下订单。在经销模式下，作为上下游产业的纽带，经销商在开拓市场、提供客户维护、加快资金流转等方面具有优势，二者互相结合，有效带动了东芯的销售增长。专利与技术研发 从财报中我们可以看到，能够在竞争激烈的国内市场获得突围，东芯半导体具有独立自主的知识产权是公司突围的根本。据介绍，东芯掌握了NAND/NOR/DRAM相关多类核心技术，而通过自身研发团队，目前已形成较为完善的技术矩阵。依托自主技术，东芯可以根据客户的特定需求提供 NAND、NOR、DRAM 等存储芯片定制化的设计服务和整体解决方案，提升业务丰富度和客户黏性。 针对市场需求的变化，公司也在加大研发方面的投入，为新一轮的市场变化做好充分准备。据东芯在财报中披露，公司2022年研发投入1.10亿元，同比增长47.46%，占当期营业收入9.63%。 为了保证产品的输出，东芯在2022年还结合社招、校招、内部推荐等多种方式吸纳人才， 报告期内公司员工数量从 184 人增加至 234 人，增长 27.17%，其中研发与技术人员从 87 人增加 至 130 人，大幅增长 49.43%，研发人员占比从 47.28%增加至 55.56%。 在这个富有竞争实力的团队支持下，东芯在很多技术上实现了创新。如如公司设计研发的 1xnm NAND Flash、48nm NOR Flash 均为我国领先的闪存芯片工艺制程，实现了国内闪存芯片的技术突破。当中的NAND Flash 产品，公司的核心技术优势明显，尤其是 SPI NAND Flash，公司采用了业内领先的单颗集成技术，将存储阵列、ECC 模块与接口模块统一集成 在同一芯片内，有效节约了芯片面积，降低了产品成本，提高了公司产品的市场竞争力。 截止去年年底，公司的在研项目涵括了1xnm NAND Flash 系列产品、24nm NAND Flash 系列产品、28nm NAND Flash 系列产品、48nm NOR Flash 系列产品、55nm NOR Flash系列产品、25nm 4Gb LPDDR4X。此外，公司还在投入到DRAM产品和车规产品的研发。 据介绍，东芯股份基于中芯国际 38nm 工艺平台的 SLC NAND Flash和基于力积电 48nm 工艺平台打造的NOR Flash已经通过 AEC-Q100 测试，适用于要求更为严苛的车规级应用环境。 东芯在2022年财报周期内申请了63项发明专利、1 项软件著作权、13项集成电路布图设计权。 截至报告期末，东芯共拥有境内外有效专利 70 项、软件著作权 13 项、集成电路布图设计权 68 项、注册商标 11 项，累计申请境内外专利 150 项，获得专利授权 69 项，专利涉及 NAND Flash、NOR Flash、DRAM 等存储芯片的设计核心环节，企业厚积薄发之势愈发明显。 基于这些自主完整的知识产权，东芯还能根据客户需求定制其所需要的存储芯片定制化的设计服务 和整体解决方案，帮助客户降低产品开发时间和成本，提高产品开发效率。而在为客户进行定制化产品过程中，东芯不断深入了解市场需求，接收客户反馈，已经建立了 “研发-转化-创新”的技术发展循环，有利于公司进一步增强技术研发实力。 展望未来，东芯表示，首先，公司将持续微缩产品制程，坚持稳定的供应链布局。 据介绍，公司将在现有的存储芯片设计能力的基础上，持续与中芯国际合作开发生产 1xnm NAND Flash 芯片，实现国内存储芯片先进制程技术的进一步突破，从而为将来设计更高容量、更具成 本优势的产品打开空间，提供先进工艺制程的保障。 其次，持续优化产品结构，开拓多元化市场。在目前的产品线基础上，东芯将凭借强大的研发能力，不断推陈出新，及时迭代提升产品关键性能，涵盖市场主流的中小容量存储芯片产品。 例如在 SLC NAND Flash 方面，公司将不断提升 2xnm 产品良率;在 NOR Flash 产品方面公司将逐 步实现 55nm 工艺产品全面量产;DRAM 方面公司将持续开发更先进工艺制程下的 DRAM 产品，进一步扩大公司存储器产品的种类与规模。 公司还将聚焦高附加值产品，顺应汽车产业在智能网联功能的布局，大力发展在工艺技术、使用环境、抗振能力、可靠性等方面比传统消费电子类存储芯片要求更高的车规级存储芯片，实现车规级闪存产品的产业化目标。国产存储的新机遇 如何在发生波动的存储市场中抓住国产替代的机会，在行业大趋势下，实现半导体“区域化”“自主化”的转变，这不仅是国家层面的问题，也是国产存储厂商面临的一场新挑战。 而东芯半导体作为细分市场的新生力量，凭借强大的研发能力和稳定的供应链体系，在2022年的寒冬里站住了脚跟，它所发布的2022年财报无疑是一份让投资人满意的高分答卷。 目前国内集成电路需求依旧旺盛，而自给量不足，这种情况下集成电路产业国产替代大有可为，而聚焦于中小容量的NAND、NOR、DRAM芯片的东芯，从创立之初，就坚定了自己的方向，通过差异化竞争成功在市场中站稳脚跟，在2022年财报中，我们可以看到东芯依旧保持锐意进取之意，在研发技术方面保持高额投入，持续巩固自己的独特优势。 在新能源汽车迅速发展的2023年，已经开始布局车规芯片市场的东芯，会给我们带来什么样的惊喜，这非常值得期待。郑重声明：1、部分内容来源于网络，本文版权归原作者所有，转载文章仅为传播更多信息之目的。2、本文仅供学术交流，非商用。如果某部分不小心侵犯了大家的利益，请联系删除。
